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SI4965DY

Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFETs: 1.8 V Rated • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

文件:105.35 Kbytes 页数:5 Pages

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威世威世科技公司

SI4965DY

Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

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SI4965DY_V01

Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFETs: 1.8 V Rated • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

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SI4965DY-T1

Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

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Si4965DY

Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

Vishay

威世

详细参数

  • 型号:

    SI4965DY

  • 功能描述:

    MOSFET 8V 8A 2W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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