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VISHAYN/A

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VISHAY/威世SOP-8

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深圳市科达星科技有限公司

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VISHAYSOP-8

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SISOP

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VISHAY/威世

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SI/SILICON/VISHAYSMD/SOP-8/TO-220

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VISHAY/威世

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SILSOIC-8

3000

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VISHAYN/A

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SISMD

3000

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VISHAY/威世SOP8

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深圳市盈慧通电子有限公司

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VISHAY/威世SOP8

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深圳市安富世纪电子有限公司

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京海半导体(深圳)有限公司

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SI4980DY功能描述:MOSFET 80V 3.7A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4980DY-E3功能描述:MOSFET 80V 3.7A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4980DY-T1功能描述:MOSFET 80V 3.7A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4980DY-T1-E3功能描述:MOSFET 80V 3.7A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4980DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 80V 3.7A 2.0W 75mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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