| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOIC-8 |
19007 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市明盛嘉电子科技有限公司3年
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VISHAY/威世SOP8 |
5000 |
21+ |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
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SILICONIXSOP8 |
67500 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
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VISHAYSOP |
899933 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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VISHAYSOP |
13500 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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SISOP8 |
3750 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAYSOP |
13500 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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VISHAYSO-8 |
4897 |
22+ |
绝对原装!现货热卖! |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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SI8P |
2987 |
22+ |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电! |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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SISOP-8 |
235 |
23+ |
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深圳市一线半导体有限公司15年
留言
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SOP-8 |
3000 |
05+ |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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SILICONSOP8 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市昊创电子有限公司13年
留言
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SILICONIXSOP8 |
10 |
专业铁帽 |
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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VISHAYSOP |
12800 |
23+ |
公司只有原装 欢迎来电咨询。 |
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深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
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VISHAYSOP |
28600 |
22+ |
只做原装正品现货假一赔十一级代理 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
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VISHAYSOP-8 |
516 |
1037+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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VISHAY/威世SOIC-8 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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VISHAY/威世SOIC-8 |
12580 |
24+23+ |
16年现货库存供应商终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市大联智电子有限公司3年
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VISHAY/威世SOP-8 |
354000 |
22+ |
SI4982采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI4982图片
SI4982DY-T1-E3其他IC中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4982DY功能描述:MOSFET 100V 2.6A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4982DY-E3功能描述:MOSFET 100V 2.6A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4982DY-T1功能描述:MOSFET 100V 2.6A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4982DY-T1-E3功能描述:MOSFET 100V 2.6A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4982DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 100V 2.6A 2.0W 150mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
