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SI4967DY | Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFETs: 1.8 V Rated • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：103.07 Kbytes 页数：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
SI4967DY | Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET 文件：62.57 Kbytes 页数：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFETs: 1.8 V Rated • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：103.07 Kbytes 页数：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET 文件：62.57 Kbytes 页数：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Si4967DY | Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | Vishay 威世 | Vishay |
详细参数
- 型号：
SI4967DY
- 功能描述：
MOSFET 12V 7.5A 2W
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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