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SI4435DY中文资料-30V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装数据手册Infineon规格书

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厂商型号

SI4435DY

功能描述

-30V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:58:00

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SI4435DY规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS
• 具有业内先进的品质
• P 通道MOSFET

技术参数

  • 制造商编号

    :SI4435DY

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :SI4435DYTRPBF

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :SO8

  • VDS max

    :-30 V

  • RDS (on) @10V max

    :20 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max

    :35 mΩ

  • ID @25°C max

    :-8 A

  • QG typ @10V

    :40 nC

  • Polarity

    :P

  • VGS(th) min

    :-1 V

  • Technology

    :IR MOSFET™

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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