SI4435DY数据手册ONSEMI中文资料规格书
SI4435DY规格书详情
描述 Description
此P沟道MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 它已针对需要大范围栅极驱动电压额定值(4.5V – 25V)的功率管理应用进行了优化。
特性 Features
•-8.8 A,-30 V RDS(ON) = 20 mΩ @ VGS = -10 V RDS(ON) = 35 mΩ @ VGS = -4.5 V
•低栅极电荷(17nC,典型值)
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
•高功率和高电流处理能力
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
:SI4435DY
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:P-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:-30
- VGS Max (V)
:20
- VGS(th) Max (V)
:-3
- ID Max (A)
:-8.8
- PD Max (W)
:2.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:35
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:20
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:17
- Ciss Typ (pF)
:1604
- Package Type
:SOIC-8
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
SILCON |
2016+ |
SOP8 |
1000 |
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VISHAY |
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SOP |
20000 |
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SOP-8 |
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SIL |
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VISHAY |
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SOP8 |
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SI |
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SOP8 |
20000 |
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VISHAY |
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SOP8 |
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VISHAY |
23+ |
SOP-8 |
50000 |
只做原装正品 |
询价 |