| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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VISHAY/威世SOIC-8Narrow |
35000 |
24+ |
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热卖原装正品 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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VISHAYSO-8 |
5000 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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VISHAYSOP |
3500 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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UMW 友台SOP-8 |
15000 |
23+ |
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原装正品，实单请联系 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
7906200 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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VISHAYSOP-8 |
23900 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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VISHAYSOP8 |
9800 |
18+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
10053 |
2105+ |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
留言
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VISHAY/威世货真价实,假一罚十 |
25000 |
SOP-8 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)SOP-8 |
9555 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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VISHAY/威世SOP |
5500 |
23+ |
主营品牌深圳百分百原装现货假一罚十绝对价优 |
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深圳市金芯阳科技有限公司9年
留言
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VISHAYSOP8 |
8000 |
6 |
进口原装现货,假一赔十 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOIC-8Narrow |
8189 |
1739+ |
只做原装正品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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UMW(广东友台半导体)SOP-8 |
5000 |
24+ |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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61313 |
23+ |
全新原装，有询必回 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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59188 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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SI4425D图片
SI4425DDY-T1-GE3价格
SI4425DDY-T1-GE3价格：￥1.6153品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI4425DDY-T1-GE3多少钱，想知道SI4425DDY-T1-GE3价格是多少？参考价：￥1.6153。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI4425DDY-T1-GE3批发价格及采购报价，SI4425DDY-T1-GE3销售排行榜及行情走势，SI4425DDY-T1-GE3报价。
SI4425DY-T1资讯
SI4425DDY-T1-GE3公司原装现货
瀚佳科技（深圳）有限公司专业进口电子元器件代理商
SI4425DDY-T1-GE3深圳市力通伟业半导体有限公司
SI4425DDY-T1-GE3MOSFETP-CHD-S30V8-SOIC
SI4425DY-T1中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4425DDY制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30 V(D-S) MOSFET
SI4425DDY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 19.7A 5.7W 9.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4425DY功能描述:MOSFET SO8 PCH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4425DY-E3功能描述:MOSFET 30V 11A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4425DY-T1功能描述:MOSFET 30V 11A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4425DY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 11A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
