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|---|---|---|---|---|
SI4403DY-T1-E3 | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Built in ESD Protection with Zener Diode • Typical ESD Performance: 1800 V • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Portable Devices - Load Switch - Battery Sw 文件:1.02741 Mbytes 页数:9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | |
TSSOP16 | SILICON 上传:深圳市上美通科技有限公司 | SILICON | ||
TSSOP16 | SILICON 上传:深圳市上美通科技有限公司 | SILICON | ||
TSSOP16 | SILICON LABS/芯科 上传:深圳庞田科技有限公司 | SILICON LABS/芯科 | ||
SOP-8 | VISHAY |
详细参数
- 型号:
SI4403DY-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 20 Volt 9.0 Amp 2.5W
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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