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SI4403DY-T1-E3

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Built in ESD Protection with Zener Diode • Typical ESD Performance: 1800 V • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Portable Devices - Load Switch - Battery Sw

文件:1.02741 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

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上传:深圳庞田科技有限公司

SILICON LABS/芯科

SI4425DDY-T1-GE3

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威世威世科技公司

上传:深圳市振鑫微电子科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    SI4403DY-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 20 Volt 9.0 Amp 2.5W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SI4403DY-T1-E3供应商 更新时间2026-2-8 9:03:00