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SI3456BDV-T1-E3

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen free According to IEC 61249-2-21    Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

文件:74.41 Kbytes 页数:5 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI3462-E01-GMIC

QFN11

SILICON LABS/芯科

上传:深圳庞田科技有限公司

SILICON LABS/芯科

SI3462-E01-GMR

QFN11

SILICON

SI3470A-A01-IMR

SKYWORKS SOLUTIONS

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SKYWORKS SOLUTIONS

SI3500-A-GMIC

QFN

SILICON LABS/芯科

上传:深圳庞田科技有限公司

SILICON LABS/芯科

详细参数

  • 型号:

    SI3456BDV-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 5.1A 2W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VISHAY/威世
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SOT-163SOT-23-6
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更多SI3456BDV-T1-E3供应商 更新时间2026-2-2 19:45:00