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Si3122DV数据手册Vishay中文资料规格书

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厂商型号

Si3122DV

功能描述

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技 威世科技半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-6 18:28:00

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Si3122DV规格书详情

特性 Features

• TrenchFET® Gen IV power MOSFET
• 100 % Rg and UIS tested



技术参数

  • 制造商编号

    :SI3122DV

  • 生产厂家

    :Vishay

  • Package

    :TSOP-6

  • Ch

    :N

  • VDS (V)

    :100

  • VGS (V)

    :20

  • RDS(on)@7.5V (Ω)

    :0.167

  • RDS(on)@10V (Ω)

    :0.16

  • Qg @10V (nC)

    :3.8

  • Qgs (nC)

    :1.3

  • Qgd (nC)

    :0.6

  • ID Max. (A)

    :1.34

  • PD Max. (W)

    :1.34

  • VGS(th) Min. (V)

    :2

  • Rg Typ. (Ω)

    :1.5

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