Si3122DV数据手册Vishay中文资料规格书
Si3122DV规格书详情
特性 Features
• TrenchFET® Gen IV power MOSFET
• 100 % Rg and UIS tested
技术参数
- 制造商编号
:SI3122DV
- 生产厂家
:Vishay
- Package
:TSOP-6
- Ch
:N
- VDS (V)
:100
- VGS (V)
:20
- RDS(on)@7.5V (Ω)
:0.167
- RDS(on)@10V (Ω)
:0.16
- Qg @10V (nC)
:3.8
- Qgs (nC)
:1.3
- Qgd (nC)
:0.6
- ID Max. (A)
:1.34
- PD Max. (W)
:1.34
- VGS(th) Min. (V)
:2
- Rg Typ. (Ω)
:1.5
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
SANKEN |
11+ |
TO3P |
350 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
SANKEN |
24+ |
NA |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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SANKEN |
23+ |
TO-3P |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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SANKEN |
NA |
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一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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SANKEN |
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TO-3P |
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SANKEN |
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SANKEN |
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1500 |
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SANKEN |
24+ |
NA/ |
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SK |
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TO-3P |
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询价 |