Si3122DV中文资料N-Channel 100 V (D-S) MOSFET数据手册Vishay规格书
Si3122DV规格书详情
特性 Features
• TrenchFET® Gen IV power MOSFET
• 100 % Rg and UIS tested
技术参数
- 制造商编号
：SI3122DV
- 生产厂家
：Vishay
- Package
：TSOP-6
- Ch
：N
- VDS (V)
：100
- VGS (V)
：20
- RDS(on)@7.5V (Ω)
：0.167
- RDS(on)@10V (Ω)
：0.16
- Qg @10V (nC)
：3.8
- Qgs (nC)
：1.3
- Qgd (nC)
：0.6
- ID Max. (A)
：1.34
- PD Max. (W)
：1.34
- VGS(th) Min. (V)
：2
- Rg Typ. (Ω)
：1.5
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