| 订购数量 | 价格 |
|---|---|
| 1+ |
首页>SI2335DS-T1-E3>芯片详情
SI2335DS-T1-E3_VISHAY/威世_MOSFET 12V 4.0A诺美思科技
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
SI2335DS-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 12V 4.0A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
相近型号
- SI2335DS-TP
- SI2334DS-T1-GE3
- SI2335DY-T1-E3
- SI2334DST1GE3
- SI2336DS
- SI2334DS-T1-E3
- SI2336DS-T1-BE3
- SI2334DS
- SI2336DS-T1-E3
- SI2336DST1GE3
- SI2333-TP
- SI2336DS-T1-GE3
- SI2333TP
- SI2336DS-T1-GE3IC
- SI2333-HXY
- SI2336DS-T1-GE3-VB
- SI2333DS-TI-GE3
- SI2333DS-T1IC
- SI2337
- SI2337DS
- SI2333DS-T1-GE3IC
- SI2337DS1-E3
- SI2333DS-T1-GE3
- SI2337DS-T1
- SI2333DST1GE3
- SI2337DS-T1-BE3
- SI2337DST1E3
- SI2333DS-T1-E3IC
- SI2337DS-T1-E3
- SI2333DS-T1-E3/E3
- SI2337DS-T1-E3IC
- SI2333DS-T1-E3
- SI2333DST1E3
- SI2337DS-T1-E3-VB
- SI2337DST1GE3
- SI2337DS-T1-GE3
- SI2333DS-T1
- SI2333DS-HXY
- SI2337DS-TI-GE3
- SI2333DS
- SI2338DS
- SI2333DDS-T1-GE3-VB
- SI2338DS/RCR1557SJ
- SI2333DDS-T1-GE3-MS
- SI2338DS-T1
- SI2333DDST1-GE3
- SI2338DS-T1-BE3
- SI2333DDS-T1-GE3
- SI2338DS-T1-E3
- SI2333DDST1GE3



