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SI2323DDS	文件：220.25 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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SI2323DDS_V01	文件：183.41 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI2323DDS-T1-GE3	文件：1.04793 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SI2323DS	文件：1.64281 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelMOSFET Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-4.2A(VGS=-10V) ●RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
SI2323DS	文件：1.82173 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelMOSFET Features VDS (V) =-30V ID=-4.2A(VGS=-10V) RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
SI2323DS	文件：164.08 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI2323DS	文件：1.71416 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
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SI2323DS	文件：42.4 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
SI2323DDS
功能描述：
MOSFET -20V 39mOhm@4.5V -5.3A P-Ch G-III
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
晶体管极性：
P-Channel
汲极/源极击穿电压：
20 V
闸/源击穿电压：
+/- 8V
漏极连续电流：
5.3 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
39 mOhms
配置：
Single
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-23-3
封装：
Reel

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