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SI1903DL-T1-GE3_VISHAY/威世_MOSFET 2P-CH 20V 410MA SC70-6诺美思科技
- 详细信息
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产品属性
- 类型描述 
- 型号:SI1903DL-T1-GE3 
- 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 410MA SC70-6 
- RoHS:是 
- 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 
- 系列:TrenchFET® 
- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 
- 标准包装:1 
- 系列:- FET 
- 型:2 个 N 沟道(双) FET 
- 特点:逻辑电平门 
- 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° 
- C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° 
- C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 
- Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ 
- Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ 
- Vds:- 功率 - 
- 最大:1.4W 
- 安装类型:表面贴装 
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 
- 包装:Digi-Reel® 
- 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 
- 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR 
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