您好，欢迎来到114ic电子网！

首页>SI1902DL-T1-GE3>芯片详情

SI1902DL-T1-GE3_VISHAY/威世_MOSFET N-CH G-S 20V DUAL SC-70-6诺美思科技

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量 价格
1+
  • 厂家型号：

    SI1902DL-T1-GE3

  • 产品分类：

    芯片

  • 生产厂商：

    VISHAY

  • 库存数量：

    9800

  • 产品封装：

    原厂封装

  • 生产批号：

  • 库存类型：

    常用库存

  • 更新时间：

    2025-11-1 15:38:00

数据手册 更多货源
  • 详细信息
  • 规格书下载

原厂料号：SI1902DL-T1-GE3品牌：VISHAY

原装进口公司现货假一赔百

  • 芯片型号：

    SI1902DL-T1-GE3

  • 规格书：

    下载

  • 企业简称：

    VISHAY【威世】详情

  • 厂商全称：

    Vishay Siliconix

  • 中文名称：

    威世科技公司

  • 内容页数：

    9 页

  • 文件大小：

    237.53 kb

  • 资料说明：

    Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号：

    SI1902DL-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH G-S 20V DUAL SC-70-6

  • RoHS：

    是

  • 类别：

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列：

    TrenchFET®

  • 产品目录绘图：

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装：

    1

  • 系列：

    - FET

  • 型：

    2 个 N 沟道（双） FET

  • 特点：

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)：

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C：

    3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）：

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs：

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds：

    - 功率 -

  • 最大：

    1.4W

  • 安装类型：

    表面贴装

  • 封装/外壳：

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装：

    PowerPAK? SO-8

  • 包装：

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面：

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称：

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供应商

  • 企业：

    深圳市诺美思科技有限公司

  • 商铺：

    进入商铺留言

  • 联系人：

    Eva

  • 手机：

    13828790990

  • 询价：
  • 电话：

    0755-82811187

  • 地址：

    深圳市福田区华强北街道深纺大厦B座1503

相关型号

相近型号

客户服务 网站合作

  • Tel：0755 8246 9263

  • Email：kf＠114ic.com

  • 投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号 粤公网安备 44030402000933号