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SI1499DH-T1-GE3

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件:1.06104 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

TPSI1499DH-T1-GE3

P-Channel 20V (D-S) MOSFET

Application Interfacing Switching » Portable equipment and battery Load Switch

文件:1.95919 Mbytes 页数:4 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

SI1499DH-T1-GE3

SOT363

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

上传:深圳市斯普仑科技有限公司

SI1499DH-T1-GE3

全新原装正品

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

上传:深圳飞弛宏科技有限公司

SI1865DDL-T1-GE3

SC70-6

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

上传:深圳市振鑫微电子科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    SI1499DH-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH 8V SC-70-6

  • RoHS:

    是

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    TrenchFET®

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SI1499DH-T1-GE3供应商 更新时间2026-10-10 9:09:00