您好，欢迎来到114ic电子网！

首页>Si1424EDH-T1-GE3>芯片详情

Si1424EDH-T1-GE3_VISHAY/威世科技_N-CHANNEL 20-V(D-S) MOSFET - Tape and Reel中天科工二部

Si1424EDH-T1-GE3

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量 价格
1+
  • 厂家型号：

    Si1424EDH-T1-GE3

  • 产品分类：

    芯片

  • 生产厂商：

    VISHAY/威世

  • 库存数量：

    47653

  • 产品封装：

    SC70-6

  • 生产批号：

    25+

  • 库存类型：

    热卖库存

  • 更新时间：

    2025-8-4 14:13:00

数据手册 更多货源
  • 详细信息
  • 规格书下载

原厂料号：Si1424EDH-T1-GE3品牌：VISHAY/威世

VISHAY/威世全新特价Si1424EDH-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货

  • 芯片型号：

    SI1424EDH-T1-GE3

  • 规格书：

    下载

  • 企业简称：

    VISHAY【威世科技】详情

  • 厂商全称：

    Vishay Siliconix

  • 中文名称：

    威世科技半导体

  • 内容页数：

    12 页

  • 文件大小：

    284.28 kb

  • 资料说明：

    N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号：

    Si1424EDH-T1-GE3

  • 制造商：

    Vishay Siliconix

  • 功能描述：

    N-CHANNEL 20-V(D-S) MOSFET - Tape and Reel

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363

  • 功能描述：

    MOSFET N CH W/D 20V 4A SOT363

  • 功能描述：

    MOSFET, N CH, W/D, 20V, 4A, SOT363

  • 制造商：

    Vishay Intertechnologies

  • 功能描述：

    MOSFET, N CH, W/D, 20V, 4A, SOT363, Transistor

  • Polarity：

    N Channel, Continuous D

  • Polarity：

    N Channel, Continuous Drain Current

  • Id：

    4A, Drain Source Voltage

  • Vds：

    20V, On Resistance

  • Rds(on)：

    0.027ohm, Rds(on) Test Voltage

  • Vgs：

    4.5V, Power Dissipation

  • Pd：

    2.8W, Operating , RoHS

  • Compliant：

    Yes

供应商

  • 企业：

    中天科工半导体（深圳）有限公司

  • 商铺：

    进入商铺留言

  • 联系人：

    李先生

  • 手机：

    13128990370

  • 询价：
  • 电话：

    13128990370/微信同号

  • 地址：

    深圳市福田区赛格广场54层5406-5406B

相关型号

相近型号

客户服务 网站合作

  • Tel：0755 8246 9263

  • Email：kf＠114ic.com

  • 投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号 粤公网安备 44030402000933号