您好，欢迎来到114ic电子网！

首页>SI1330EDL-T1-GE3>芯片详情

SI1330EDL-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET N-CH D-S 60V SC-70-3中天科工二部

SI1330EDL-T1-GE3

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量 价格
1+
  • 厂家型号：

    SI1330EDL-T1-GE3

  • 产品分类：

    芯片

  • 生产厂商：

    VISHAY/威世

  • 库存数量：

    39374

  • 产品封装：

    SOT-323

  • 生产批号：

    25+

  • 库存类型：

    热卖库存

  • 更新时间：

    2025-7-31 16:22:00

数据手册 更多货源
  • 详细信息
  • 规格书下载

原厂料号：SI1330EDL-T1-GE3品牌：VISHAY/威世

VISHAY/威世全新特价SI1330EDL-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货

  • 芯片型号：

    SI1330EDL-T1-GE3

  • 规格书：

    下载

  • 企业简称：

    VBSEMI【微碧半导体】详情

  • 厂商全称：

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名称：

    微碧半导体（台湾）有限公司

  • 内容页数：

    8 页

  • 文件大小：

    1013.61 kb

  • 资料说明：

    N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号：

    SI1330EDL-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH D-S 60V SC-70-3

  • RoHS：

    是

  • 类别：

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列：

    TrenchFET®

  • 标准包装：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点：

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)：

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C：

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装：

    TO-220FP

  • 包装：

    管件

供应商

  • 企业：

    中天科工半导体（深圳）有限公司

  • 商铺：

    进入商铺留言

  • 联系人：

    李先生

  • 手机：

    13128990370

  • 询价：
  • 电话：

    13128990370/微信同号

  • 地址：

    深圳市福田区赛格广场54层5406-5406B

相关型号

相近型号

客户服务 网站合作

  • Tel：0755 8246 9263

  • Email：kf＠114ic.com

  • 投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号 粤公网安备 44030402000933号