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SI1028X_V01	文件：183.95 Kbytes Page：8 Pages	Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • ESD Protected: 550 V Typical HBM • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 BENEFITS • Low Offset Voltage • Low-Voltage Operation • High-Speed Circuits • Small Board Area APPLICATIONS • Load/Sign 文件：183.95 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SI1102-A-GMR无线发射	文件：0 bytes Page：0 Pages	SILICON LABS/芯科 DFN8	SILICON LABS/芯科上传：深圳庞田科技有限公司	SILICON LABS/芯科
SI1132-A10-GMR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SILICON LABS/芯科 QFN10	SILICON LABS/芯科上传：深圳市澳亿芯电子科技有限公司	SILICON LABS/芯科
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SI1141-A11-GMR无线发射	文件：0 bytes Page：0 Pages	SILICON LABS/芯科 QFN10	SILICON LABS/芯科上传：深圳庞田科技有限公司	SILICON LABS/芯科

更多SI1028X_V01供应商更新时间2025-10-7 11:10:00