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SI1021R-T1-GE3

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:95.59 Kbytes 页数:5 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI1132-A10-GMR

QFN10

SILICON LABS/芯科

上传:深圳市澳亿芯电子科技有限公司

SILICON LABS/芯科

SI1308EDL-T1-GE3

SOT-323

VISHAY/威世

SI1401EDH-T1-GE3

SC-70-6(SOT-363)

VISHAY/威世

SI1499DH-T1-E3

SOT23-6

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

上传:深圳市斯普仑科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    SI1021R-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 190mA 250mW 700mohm @ 4.5V

  • RoHS:

    否

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SI1021R-T1-GE3供应商 更新时间2026-9-27 16:36:00