选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOT323 |
7906200 |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SOT-323 |
3003 |
20+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT-323 |
6500 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
30050 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT-323SC70 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市莱克讯科技有限公司7年
留言
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VISHAYSOT-323SC |
56787 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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VISHAY/威世SOT-323 |
45000 |
23+ |
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热卖优势现货 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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VISHAYSOT-323 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市大联智电子有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT-323 |
354000 |
22+ |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世NA/ |
24000 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市莱克讯科技有限公司6年
留言
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VISHAYSOT-23 |
65895 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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VISHAY/威世通SC70-3 |
36800 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SC-70-3 |
25000 |
22+ |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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VISHAYSOT-323 |
7695 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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VISHAYCHIP-6L |
6528 |
2016+ |
只做原厂原装现货!终端客户个别型号可以免费送样品! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SC70-3 |
502522 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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VISHAY/威世SC70-3 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市英瑞尔电子科技有限公司10年
留言
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VISHAYSOT-323 |
15000 |
22+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市亿联芯电子科技有限公司13年
留言
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VISHAY/威世SOT-323 |
1260 |
2023+ |
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原厂全新正品旗舰店优势现货 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SOT-323 |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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SI1305EDL价格:¥0.4550品牌:VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI1305EDL多少钱,想知道SI1305EDL价格是多少?参考价:¥0.4550。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI1305EDL批发价格及采购报价,SI1305EDL销售排行榜及行情走势,SI1305EDL报价。
SI1305EDL-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI1305EDL-T1功能描述:MOSFET 8V 0.92A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1305EDL-T1-E3功能描述:MOSFET 8V 0.92A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1305EDL-T1-GE3功能描述:MOSFET P-CH 8V 860MA SOT323-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件