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|---|---|---|---|---|
SI1022R-T1-GE3 | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件:93.26 Kbytes 页数:5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay | |
DFN8 | SILICON LABS/芯科 上传:深圳庞田科技有限公司 | SILICON LABS/芯科 | ||
QFN10 | SILICON LABS/芯科 | SILICON LABS/芯科 | ||
QFN10 | SILICON LABS/芯科 上传:深圳庞田科技有限公司 | SILICON LABS/芯科 | ||
QFN10 | SILICON LABS/芯科 上传:深圳庞田科技有限公司 | SILICON LABS/芯科 |
详细参数
- 型号:
SI1022R-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET 60V 330mA 250mW 1.25ohm @ 10V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
2447+ |
SOT323 |
9657 |
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VISHAY/威世 |
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SOT323 |
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VISHAY/威世 |
2019+ |
SOT416 |
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VISHAY/威世 |
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SOT-323 |
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60000 |
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更新时间2025-12-23 18:00:00
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