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SI1016X-T1	文件：216.08 Kbytes Page：17 Pages	Complementary N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：216.08 Kbytes 页数：17 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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SI1102-A-GMR无线发射	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN8	SILICON LABS/芯科上传：深圳庞田科技有限公司	SILICON LABS/芯科
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详细参数

型号：
SI1016X-T1
功能描述：
MOSFET 20V 0.6/0.4A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	SI1016X-T1	VIHSAY/SILICONIX	24+	SOT-563	57200	新进库存/原装	询价
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更多SI1016X-T1供应商更新时间2026-2-3 15:30:00

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