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SI1016CX_V01	文件：240.08 Kbytes Page：12 Pages	Complementary N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFETs • High-side switching • Ease in driving switches • Low offset (error) voltage • Low-voltage operation • High-speed circuits • Typical ESD protection: n-channel 900 V, p-channel 900 V (HBM) • 100 Rg tested • Material categorization: for definitions of 文件：240.08 Kbytes 页数：12 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
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更多SI1016CX_V01供应商更新时间2025-12-4 16:39:00