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SI1013R-T1-E3

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

文件:94.34 Kbytes 页数:6 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI1016CX-T1-GE3

NA

VISHAY/威世

SI1102-A-GMR无线发射

DFN8

SILICON LABS/芯科

上传:深圳庞田科技有限公司

SILICON LABS/芯科

SI1132-A10-GMR

QFN10

SILICON LABS/芯科

上传:深圳市澳亿芯电子科技有限公司

SILICON LABS/芯科

SI1132-A10-GMR无线发射

QFN10

SILICON LABS/芯科

上传:深圳庞田科技有限公司

SILICON LABS/芯科

详细参数

  • 型号:

    SI1013R-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 0.35A 0.15W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SI1013R-T1-E3供应商 更新时间2026-1-29 21:08:00