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SI1012X-T1-GE3

N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI1012X-T1-GE3

N-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET

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Si1012X-T1-GE3

N-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET

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N-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET

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SI1012X-T1-GE3

MOS(场效应管)

Vishay

威世

技术参数

  • 漏源电压(Vdss):

    20V

  • 栅源极阈值电压(最大值):

    900mV @ 250uA

  • 漏源导通电阻(最大值):

    700 mΩ @ 600mA,4.5V

  • 类型:

    N 沟道

  • 功率耗散(最大值):

    250mW

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VISHAY/威世
25+
SC-89-3
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更多SI1012X-T1-GE3供应商 更新时间2026-2-1 14:14:00