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SH8K1	文件：175.54 Kbytes Page：4 Pages	丝印：TB；Package：SOP8；4V Drive NchNch MOSFET ● Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small surface Mount Package (SOP8). ● Application Power switching, DC / DC converter. ● Structure Silicon N-channel MOSFET 文件：175.54 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SH8K1	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Nch+Nch MOSFET ● 1) Low on-resistance.\n2) Built-in G-S Protection Diode.\n3) Small surface Mount Package (SOP8).● Application\nPower switching, DC / DC converter.● Structure\nSilicon N-channel MOSFET ;	ROHM 罗姆	ROHM
SH8K10S	文件：2.29386 Mbytes Page：21 Pages	丝印：SH8K10S；Package：SOP8；30V Nch / NchSBD Power MOSFET Features 1) Low on - resistance 2) Small Surface Mount Package (SOP8) 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 4) Halogen Free Application Switching 文件：2.29386 Mbytes 页数：21 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SH8K11	文件：1.16806 Mbytes Page：7 Pages	4V Drive Nch Nch MOSFET 文件：1.16806 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SH8K12	文件：1.11228 Mbytes Page：7 Pages	4V Drive Nch Nch MOSFET 文件：1.11228 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SH8K13	文件：1.0989 Mbytes Page：7 Pages	4V Drive Nch Nch MOSFET 文件：1.0989 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SH8K14	文件：1.10115 Mbytes Page：7 Pages	4V Drive Nch Nch MOSFET 文件：1.10115 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SH8K15	文件：1.18965 Mbytes Page：7 Pages	4V Drive Nch Nch MOSFET 文件：1.18965 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SH8K11	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Nch+Nch MOSFET 电界效果晶体管MOSFET。复合两颗Nch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 •4V驱动型 Nch+Nch 中功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
SH8K12	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Nch+Nch MOSFET 电界效果晶体管MOSFET。复合两颗Nch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 •4V驱动型 Nch+Nch 中功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Status：
最终销售
封装：
SOP8
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
SOP8
Package Size[mm]：
5.0x6.0 (t=1.75)
Number of terminal：
8
Polarity：
Nch/Nch+SBD
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
30
Drain Current ID[A]：
8.5
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.019
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.0178
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.014
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.019
Total gate charge Qg[nC]：
8.4
Power Dissipation (PD)[W]：
2.0
Drive Voltage[V]：
4.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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