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SGTQ200V75SDB1PWD中文资料Trench IGBT数据手册Silan规格书

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厂商型号

SGTQ200V75SDB1PWD

功能描述

Trench IGBT

制造商

Silan Silan Microelectronics Joint-stock

中文名称

士兰微 杭州士兰微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :SGTQ200V75SDB1PWD

  • 生产厂家

    :Silan

  • Type

    :IGBT+Diode

  • Package

    :TO-247PD-3L

  • BVce (V)

    :750

  • Ic (A) Tc=100℃

    :200

  • If (A) Tc=100℃

    :200

  • Vge (th) (V)

    :4.00~6.80

  • Vce (sat) typ (V) Tc=25℃

    :1.5

  • Vce (sat) max (V) Tc=25℃

    :2.2

  • Vfm typ (V)Tc=25℃

    :1.85

  • Vfm max (V)Tc=25℃

    :2.4

  • Trr typ (ns)Tc=25℃

    :212

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