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SGTP75V65FDB1P4B中文资料绝缘栅双极型晶体管数据手册Silan规格书
SGTP75V65FDB1P4B规格书详情
描述 Description
SGTP75V65FDB1P4B绝缘栅双极型晶体管采用士兰微第五代场截止（Field Stop 5）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于光伏，UPS，SMPS以及PFC等领域。
特性 Features
• 75A，650V，VCE(sat)(典型值)=1.65V@IC=75A
• 低导通损耗
• 快开关速度
• 高输入阻抗
• TJmax=175°C
技术参数
- 制造商编号
：SGTP75V65FDB1P4B
- 生产厂家
：Silan
- Type
：IGBT＋Diode
- Package
：TO-247B-4L
- BVce (V)
：650
- Ic (A) Tc=100℃
：75
- If (A) Tc=100℃
：75
- Vge (th) (V)
：3.20~4.80
- Vce (sat) typ (V) Tc=25℃
：1.65
- Vce (sat) max (V) Tc=25℃
：2.2
- Vfm typ (V)Tc=25℃
：1.55
- Vfm max (V)Tc=25℃
：1.9
- Trr typ (ns)Tc=25℃
：120
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