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SGTQ200V75SDB1PW中文资料绝缘栅双极型晶体管数据手册Silan规格书
SGTQ200V75SDB1PW规格书详情
描述 Description
SGTQ200V75SDB1PW绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止（Field Stop 5）工艺制作，具有低饱和压降，低开关损耗的优点，可应用于Motor Drives、DC/AC converter等领域。
特性 Features
• 低饱和压降：VCE(sat)=1.42V(典型值)@IC=200A
• 最大结温：Tjmax=175°C
• 正温度系数
• 优化参数一致性
• 高输入阻抗
技术参数
- 制造商编号
：SGTQ200V75SDB1PW
- 生产厂家
：Silan
- Type
：IGBT＋Diode
- Package
：TO-247P-3L
- BVce (V)
：750
- Ic (A) Tc=100℃
：200
- If (A) Tc=100℃
：200
- Vge (th) (V)
：4.00~6.80
- Vce (sat) typ (V) Tc=25℃
：1.4
- Vce (sat) max (V) Tc=25℃
：1.6
- Vfm typ (V)Tc=25℃
：1.8
- Vfm max (V)Tc=25℃
：2.2
- Trr typ (ns)Tc=25℃
：212
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