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SGT50T65SDM1P7

IGBT

SGT50T65SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop III)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域.\n\n • 50A,650V,VCE(sat)(典型值)=1.65V@IC=50A\n• 快开关速度\n• 高输入阻抗\n;

Silan

士兰微

SGT60N60FD1PN

TO-3P

士兰微

SGTL5000XNAA3

QFN

恩XP

SGTL5000XNAA3

QFN32

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司

SGTL5000XNAA3R2

QFN-32

FREESCAL

技术参数

  • Type:

    IGBT+Diode

  • Package:

    TO-247-3L

  • BVce (V):

    650

  • Ic (A) Tc=100℃:

    50

  • If (A) Tc=100℃:

    50

  • Vge (th) (V):

    4.00~7.00

  • Vce (sat) typ (V) Tc=25℃:

    1.65

  • Vce (sat) max (V) Tc=25℃:

    2.2

  • Vfm typ (V)Tc=25℃:

    1.7

  • Vfm max (V)Tc=25℃:

    2.5

  • Trr typ (ns)Tc=25℃:

    37.5

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
SILAN/士兰微
25+
TO-247-3L
188600
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询
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SILAN(士兰微电子)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
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更多SGT50T65SDM1P7供应商 更新时间2025-11-3 9:01:00