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SGT60N60FD1PN	文件：307.8 Kbytes Page：10 Pages	丝印：60N60FD1；Package：TO-3P；60A, 600V FIELD STOP IGBT DESCRIPTION SGT60N60FD1PN/P7/PS/PTadoptsFieldStopIGBTtechnology,offer theoptimumperformanceforinductionHeating,UPS,SMPSandPFC application. FEATURES 60A,600V,VCE(sat)(typ.)=2.2V@IC=60A Lowconductionloss Fastswitching Highinputimpedance	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SGT60N60FD1PN	文件：300 bytes Page：1 Pages	绝缘栅双极型晶体管; • 60A，600V，VCE(sat)(典型值)=2.2V@IC=60A\n• 低导通损耗\n• 快开关速度\n• 高输入阻抗\n; SGT60N60FD1PN/P7/PS/PT绝缘栅双极型晶体管采用场截止（Field Stop）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。\n\n	SilanSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	Silan
60N60FD1	文件：307.8 Kbytes Page：10 Pages	60A,600VFIELDSTOPIGBT DESCRIPTION SGT60N60FD1PN/P7/PS/PTadoptsFieldStopIGBTtechnology,offer theoptimumperformanceforinductionHeating,UPS,SMPSandPFC application. FEATURES 60A,600V,VCE(sat)(typ.)=2.2V@IC=60A Lowconductionloss Fastswitching Highinputimpedance	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SGT60N60FD1PS	文件：307.8 Kbytes Page：10 Pages	60A,600VFIELDSTOPIGBT DESCRIPTION SGT60N60FD1PN/P7/PS/PTadoptsFieldStopIGBTtechnology,offer theoptimumperformanceforinductionHeating,UPS,SMPSandPFC application. FEATURES 60A,600V,VCE(sat)(typ.)=2.2V@IC=60A Lowconductionloss Fastswitching Highinputimpedance	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SGT60N60FD1PT	文件：307.8 Kbytes Page：10 Pages	60A,600VFIELDSTOPIGBT DESCRIPTION SGT60N60FD1PN/P7/PS/PTadoptsFieldStopIGBTtechnology,offer theoptimumperformanceforinductionHeating,UPS,SMPSandPFC application. FEATURES 60A,600V,VCE(sat)(typ.)=2.2V@IC=60A Lowconductionloss Fastswitching Highinputimpedance	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN

技术参数

Type：
IGBT＋Diode
Package：
TO-3P
BVce (V)：
600
Ic (A) Tc=100℃：
60
Vge (th) (V)：
4.00~6.50
Vce (sat) typ (V) Tc=25℃：
2.2
Vce (sat) max (V) Tc=25℃：
2.7
Vfm typ (V)Tc=25℃：
1.9
Vfm max (V)Tc=25℃：
2.6
Trr typ (ns)Tc=25℃：
38

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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