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SGR20N40LTF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 400V 45W DPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SGU20N40	文件：149.23 Kbytes Page：5 Pages	High input impedance General Description Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with a trench gate structure provide superior conduction and switching performance in comparison with transistors having a planar gate structure. They also have wide noise immunity. These devices are very suitable for strobe applica 文件：149.23 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
SGU20N40L	文件：149.23 Kbytes Page：5 Pages	High input impedance General Description Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with a trench gate structure provide superior conduction and switching performance in comparison with transistors having a planar gate structure. They also have wide noise immunity. These devices are very suitable for strobe applica 文件：149.23 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
STGB20N40LZ	文件：1.14213 Mbytes Page：20 Pages	Low saturation voltage 文件：1.14213 Mbytes 页数：20 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

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深圳市一线半导体有限公司	SGR20N40LTF	FAIRCHILD	24+	TO-252	10000		询价
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司	SGR20N40LTF	FSC	25+	TO-252	2500	普通	询价
京海半导体(深圳)有限公司	SGR20N40LTF	FAIRCHILD/仙童	25+	TO252	10000	原装现货假一罚十	询价
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