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FGS15N40L	文件：204.72 Kbytes Page：6 Pages	ElectricalCharacteristicsofIGBT GeneralDescription InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)withtrenchgatestructurehavesuperiorperformanceinconductanceandswitchingtoplanargatestructureandalsohavewidenoiseimmunity.Thesedevicesarewellsuitableforstrobeapplication Features •HighInputImpedance •H	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGS15N40L	文件：210.2 Kbytes Page：6 Pages	HighInputImpedance GeneralDescription InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)withtrenchgatestructurehavesuperiorperformanceinconductanceandswitchingtoplanargatestructureandalsohavewidenoiseimmunity.Thesedevicesarewellsuitableforstrobeapplication Features •HighInputImpedance •H	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGS15N40LTF	文件：210.2 Kbytes Page：6 Pages	HighInputImpedance GeneralDescription InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)withtrenchgatestructurehavesuperiorperformanceinconductanceandswitchingtoplanargatestructureandalsohavewidenoiseimmunity.Thesedevicesarewellsuitableforstrobeapplication Features •HighInputImpedance •H	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGW15N40A	文件：112.29 Kbytes Page：6 Pages	StrobeFlashN-ChannelLogicLevelIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MGB15N40CL	文件：81.32 Kbytes Page：12 Pages	IgnitionIGBT15Amps,410Volts InternallyClampedN-ChannelIGBT ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresmonolithiccircuitryintegratingESDandOver–Voltageclampedprotectionforuseininductivecoildriversapplications.PrimaryusesincludeIgnition,DirectFuelInjection,orwhereverhighvolt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MGB15N40CL	文件：91.6 Kbytes Page：10 Pages	IgnitionIGBT15Amps,410VoltsN-ChannelTO-220andD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MGC15N40CL	文件：100.36 Kbytes Page：8 Pages	InternallyClampedN-ChannelIGBT InternallyClampedN-ChannelIGBT ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresmonolithiccircuitryintegratingESDandOver–Voltageclampedprotectionforuseininductivecoildriversapplications.PrimaryusesincludeIgnition,DirectFuelInjection,orwhereverhighvolt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
SGR15N40LTM
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
8V @ 4.5V，130A
输入类型：
标准
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
TO-252AA
描述：
IGBT 400V 45W DPAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市正迈科技有限公司	SGR15N40LTM	FSC/ON	23+	原包装原封 □□	765	原装进口特价供应特价，原装元器件供应，支持开发样品更多详细咨询库存	询价
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