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MGP20N35CL	文件：120.59 Kbytes Page：5 Pages	SMARTDISCRETESInternallyClamped,N-ChannelIGBT ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresGate–EmitterESDprotection,Gate–CollectorovervoltageprotectionfromSMARTDISCRETES™monolithiccircuitryforusageasanIgnitionCoilDriver. •TemperatureCompensatedGate–CollectorClampLimitsStressAppliedtoLoad •Int	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MGP20N35CL	文件：200.47 Kbytes Page：6 Pages	SMARTDISCRETESInternallyClamped,N-ChannelIGBT ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresGate–EmitterESDprotection,Gate–CollectorovervoltageprotectionfromSMARTDISCRETESmonolithiccircuitryforusageasanIgnitionCoilDriver. •TemperatureCompensatedGate–DrainClampLimitsStressAppliedtoLoad •Integra	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola

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MGP20N35CL

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SMARTDISCRETESInternallyClamped,N-ChannelIGBT

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ONSEMION Semiconductor

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更多SGP20N35CL供应商更新时间2024-9-20 17:00:00

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