| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode •40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter -SMPS •NPT-Technologyoffers: -verytightparameterdistributi | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=3.6V@IC=2A ·Pb-freeleadplating,RoHScompliant APPLICATIONS ·MotorControls ·SMPS ·Inverter | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode •40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter -SMPS •NPT-Technologyoffers: -verytightparameterdistributi | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon |
详细参数
- 型号：
SGI02N120
- 功能描述：
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 配置：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
650 V
- 集电极—射极饱和电压：
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
- C的连续集电极电流：
150 A
- 栅极—射极漏泄电流：
400 nA
- 功率耗散：
187 W
- 封装/箱体：
TO-247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
24+ |
P-TO262-3-1 |
8866 |
询价 | |||
INFINEON |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
NA |
3936 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
RCM |
23+ |
TO-223 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
询价 | ||
INF |
22+ |
TO-262 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
英飞翎 |
22+ |
D2PAK(TO-263) |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
2A,1200V,不带D |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
英飞翎 |
22+ |
D2PAK(TO-263) |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
Infineon |
2025+ |
TO-262 |
5425 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-220 |
15000 |
英飞凌MOS管、IGBT大量有货 |
询价 |
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