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SFWI9610	文件：251.41 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SIHF9610	文件：1.64409 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETsdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheTO-220p	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SiHF9610	文件：271.64 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF9610S	文件：199.64 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •P-channel •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinforma	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SiHF9610S	文件：206.04 Kbytes Page：10 Pages	AvailableinTapeandReel DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprov	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFI9610G	文件：819.06 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SKU9610	文件：199.05 Kbytes Page：2 Pages	ADAPTADORYAMAICHIDEENCAPSULADOPLCC28ADIP28PINES Descripción ConectorhembradepruebaparaICdeYamaichi,paraencapsuladoPLCC28	AGELECTRONICA AG Electronica	AGELECTRONICA
SPB-9610LVG	文件：173.13 Kbytes Page：6 Pages	1310nmTX/1550nmRX/3Gb/sMediumPower1-FibreSMVideoSFPTransceiver	OPTOWAY Optoway Technology Inc	OPTOWAY
SPB-9610LVG	文件：171.32 Kbytes Page：6 Pages	1550nmTX/1310nmRX/3Gb/sMediumPower1-FibreSMVideoSFPTransceiver	OPTOWAY Optoway Technology Inc	OPTOWAY
SPB-9610LVG	文件：163.78 Kbytes Page：6 Pages	3Gb/sMediumPower1-FibreSMVideoSFPTransceiver	OPTOWAY Optoway Technology Inc	OPTOWAY

详细参数

型号：
SFW9610TM
功能描述：
MOSFET P-CH/200V/1.8A/3OHM
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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