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SFT1427	文件：286.02 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance. • 4V drive. 文件：286.02 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
SFT1431	文件：91.41 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications General-Purpose Switching Device Applications Features • Motor drive application. • Low ON-resistance. • 4V drive. 文件：91.41 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
SFT1431	文件：359.61 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET Power MOSFET 35V, 25mΩ,11A, Single N-Channel Features • Low On-Resistance • High Speed Switching • Low Gate Charge • ESD Diode-Protected Gate • Pb-free and RoHS Compliance 文件：359.61 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1431	文件：409.29 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Power MOSFET 35V, 11A, 25m, Single TP/TP-FA Power MOSFET 35V, 25mΩ,11A, Single N-Channel Features • Low On-Resistance • High Speed Switching • Low Gate Charge • ESD Diode-Protected Gate • Pb-free and RoHS Compliance 文件：409.29 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1431-E	文件：359.61 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET Power MOSFET 35V, 25mΩ,11A, Single N-Channel Features • Low On-Resistance • High Speed Switching • Low Gate Charge • ESD Diode-Protected Gate • Pb-free and RoHS Compliance 文件：359.61 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1431-H	文件：409.29 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Power MOSFET 35V, 11A, 25m, Single TP/TP-FA Power MOSFET 35V, 25mΩ,11A, Single N-Channel Features • Low On-Resistance • High Speed Switching • Low Gate Charge • ESD Diode-Protected Gate • Pb-free and RoHS Compliance 文件：409.29 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1431-TL-E	文件：409.29 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Power MOSFET 35V, 11A, 25m, Single TP/TP-FA Power MOSFET 35V, 25mΩ,11A, Single N-Channel Features • Low On-Resistance • High Speed Switching • Low Gate Charge • ESD Diode-Protected Gate • Pb-free and RoHS Compliance 文件：409.29 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1431-TL-E	文件：359.61 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET Power MOSFET 35V, 25mΩ,11A, Single N-Channel Features • Low On-Resistance • High Speed Switching • Low Gate Charge • ESD Diode-Protected Gate • Pb-free and RoHS Compliance 文件：359.61 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1431-TL-W	文件：359.61 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET Power MOSFET 35V, 25mΩ,11A, Single N-Channel Features • Low On-Resistance • High Speed Switching • Low Gate Charge • ESD Diode-Protected Gate • Pb-free and RoHS Compliance 文件：359.61 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1431-W	文件：359.61 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET Power MOSFET 35V, 25mΩ,11A, Single N-Channel Features • Low On-Resistance • High Speed Switching • Low Gate Charge • ESD Diode-Protected Gate • Pb-free and RoHS Compliance 文件：359.61 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
Power MOSFET 35V 11A 25mOhm Single N-Channel DPAK
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
35
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.6
ID Max (A)：
11
PD Max (W)：
15
GS = 2.5 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
GS = 4.5 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
GS = 10 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
GS = 4.5 V\ style=\cursor：
help\>Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
GS = 10 V\ style=\cursor：
help\>Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)：
Package Type：
IPAK / TP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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技术参数

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