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SFT14	文件：65.129 Kbytes Page：2 Pages	1.0 AMP. Super Fast Rectifiers 文件：65.129 Kbytes 页数：2 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
SFT14	文件：270.35 Kbytes Page：2 Pages	1.0 AMP. Super Fast Rectifiers 文件：270.35 Kbytes 页数：2 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
SFT14	文件：548.31 Kbytes Page：2 Pages	1.0 AMP_Super Fast Rectifiers 文件：548.31 Kbytes 页数：2 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
SFT1402	文件：54.65 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device General-Purpose Switching Device Applications Features • Motor drive application. • Low ON-resistance. • 4V drive. 文件：54.65 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
SFT1403	文件：54.43 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device General-Purpose Switching Device Applications Features • Motor drive application. • Low ON-resistance. • 4V drive. 文件：54.43 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
SFT1405	文件：54.99 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device General-Purpose Switching Device Applications Features • Motor drive application. • Low ON-resistance. • 4V drive. 文件：54.99 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
SFT1407	文件：54.6 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device General-Purpose Switching Device Applications Features • Motor drive application. • Low ON-resistance. • 4V drive. 文件：54.6 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
SFT1423	文件：409.18 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Power MOSFET 500V, 2A, 4.9, Single TP/TP-FA N-Channel Power MOSFET 500V, 2A, 4.9Ω, Single TP/TP-FA Features • ON-resistance • Protection diode in • 4V drive 文件：409.18 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1423	文件：285.7 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance. • 4V drive. 文件：285.7 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
SFT1423-TL-E	文件：409.18 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Power MOSFET 500V, 2A, 4.9, Single TP/TP-FA N-Channel Power MOSFET 500V, 2A, 4.9Ω, Single TP/TP-FA Features • ON-resistance • Protection diode in • 4V drive 文件：409.18 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
Power MOSFET 35V 11A 25mOhm Single N-Channel DPAK
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
35
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.6
ID Max (A)：
11
PD Max (W)：
15
GS = 2.5 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
GS = 4.5 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
GS = 10 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
GS = 4.5 V\ style=\cursor：
help\>Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
GS = 10 V\ style=\cursor：
help\>Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)：
Package Type：
IPAK / TP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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技术参数

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