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SFT12G

1.0AMP. Glass Passivated Super Fast Rectifiers

文件:190.7 Kbytes 页数:2 Pages

TSC

台湾半导体

SFT12G

1.0 AMP. Glass Passivated Super Fast Rectifiers

文件:286.29 Kbytes 页数:2 Pages

TSC

台湾半导体

SFT12G

Glass Passivated Super Fast Rectifiers

文件:377.74 Kbytes 页数:4 Pages

TSC

台湾半导体

SFT1202

Bipolar Transistor, 150V, 2A, Low VCE(sat), NPN Single TP/TP-FA

SFT1202 is Bipolar Transistor, 150V, 2A, Low VCE(sat), NPN Single TP/TP-FA for High-Voltage Switching Applications. • Adoption of FBET, MBIT process\n• Large current capacity\n• Low collector-to-emitter saturation voltage\n• High-speed switching\n• High allowable power dissipation;

ONSEMI

安森美半导体

SFT1250LH

120V N-channel Power MOSFET

SiliconFET

SiliconFET

SFT12G

35ns, 1A, 100V, Super Fast Recovery Rectifier

TSC

台湾半导体

SFT1202-TL-E

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 150V 2A TPFA

ONSEMI

安森美半导体

SFT12G

Package:T-18,轴向;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1

TSC

台湾半导体

SFT12G A0G

Package:T-18,轴向;包装:带盒(TB) 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1

TSC

台湾半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Status:

    Active

  • Polarity:

    NPN

  • Type:

    Low VCE(sat)

  • VCE(sat) Max (V):

    0.165

  • IC Cont. (A):

    2

  • VCEO Min (V):

    150

  • VCBO (V):

    180

  • VEBO (V):

    7

  • VBE(sat) (V):

    0.85

  • hFE Min:

    200

  • hFE Max:

    560

  • PTM Max (W):

    1

  • Package Type:

    DPAK-3/TO-252-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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TO-252
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更多SFT12供应商 更新时间2025-11-28 14:58:00