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SFT12	文件：65.129 Kbytes Page：2 Pages	1.0 AMP. Super Fast Rectifiers 文件：65.129 Kbytes 页数：2 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
SFT12	文件：270.35 Kbytes Page：2 Pages	1.0 AMP. Super Fast Rectifiers 文件：270.35 Kbytes 页数：2 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
SFT12	文件：548.31 Kbytes Page：2 Pages	1.0 AMP_Super Fast Rectifiers 文件：548.31 Kbytes 页数：2 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
SFT1201	文件：62.03 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Voltage Switching Applications High-Voltage Switching Applications Features • Adoption of FBET, MBIT process. • High current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High-speed switching. • High allowable power dissipation. Applications • DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers 文件：62.03 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
SFT1202	文件：62.13 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Voltage Switching Applications High-Voltage Switching Applications Features • Adoption of FBET, MBIT process. • High current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High-speed switching. • High allowable power dissipation. Applications • DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, mot 文件：62.13 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
SFT1202	文件：412.63 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor Bipolar Transistor 150V, 2A, Low VCE(sat), NPN Single TP/TP-FA Features • Adoption of FBET, MBIT process • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • High allowable power dissipation Applications • DC / DC converter, relay drive 文件：412.63 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1202	文件：262.39 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.165V(Max)( IC= 1A; IB= 0.1A) • Fast -Switching speed • High allowable power dissipation • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • DC/DC converter • 文件：262.39 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SFT1202-E	文件：412.63 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor Bipolar Transistor 150V, 2A, Low VCE(sat), NPN Single TP/TP-FA Features • Adoption of FBET, MBIT process • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • High allowable power dissipation Applications • DC / DC converter, relay drive 文件：412.63 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1202-TL-E	文件：412.63 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor Bipolar Transistor 150V, 2A, Low VCE(sat), NPN Single TP/TP-FA Features • Adoption of FBET, MBIT process • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • High allowable power dissipation Applications • DC / DC converter, relay drive 文件：412.63 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT12G	文件：62.78 Kbytes Page：2 Pages	1.0 AMP. Glass Passivated Super Fast Rectifiers 文件：62.78 Kbytes 页数：2 Pages	TSC 台湾半导体	TSC

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.165
IC Cont. (A)：
2
VCEO Min (V)：
150
VCBO (V)：
180
VEBO (V)：
7
VBE(sat) (V)：
0.85
hFE Min：
200
hFE Max：
560
PTM Max (W)：
1
Package Type：
DPAK-3/TO-252-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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京海半导体(深圳)有限公司	SFT1209-TL	ON/安森美	21+	TO-252	10000	原装现货假一罚十	询价
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更多SFT12供应商更新时间2025-10-11 14:20:00

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