中低压功率MOSFETs

SFS2302B N沟道增强型低压功率MOS场效应晶体管，采用深鸿盛最新的SGT-MOS结构设计及制造工艺，有效地降低了产品的RonSP及寄生量。具有低导通内阻，低Ciss、Qg等特点。

HI-SEMICON

深鸿盛电子

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • 20V,3.0A, RDS(ON)=55mΩ@VGS=4.5V RDS(ON)=82mΩ@VGS=2.5V • High dense cell design for extremely low RDS(ON) • Rugged and reliable • Lead free product is acquired • SOT-23 Package • Marking Code: S2 • Epo

文件：168.38 Kbytes 页数：5 Pages

MCC

20 V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

VDS= 20V RDS(ON), Vgs@ 4.5V, Ids@ 3.6A

文件：4.06584 Mbytes 页数：4 Pages

HTSEMI

金誉半导体

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件：266.42 Kbytes 页数：5 Pages

MCC