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30N06	文件：154.84 Kbytes Page：8 Pages	30Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC30N06isalowvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedatautomotiveapplicationsinpowersupplies,highe	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
30N06	文件：223.41 Kbytes Page：8 Pages	30Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
30N06	文件：64.91 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
30N06	文件：269.69 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
30N06	文件：309.86 Kbytes Page：8 Pages	60V,30AN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
30N06	文件：1.31385 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
30N06	文件：896.91 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
30N06	文件：1.30625 Mbytes Page：7 Pages	60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),29mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology ExcellentRDS(ON)andLowGateCharge Leadfreeproductisacquired	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司(简称UMW?)	UMW
30N06.	文件：2.01485 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •SurfaceMount •AvailableinTapeandReel •DynamicdV/dtRating •Logic-LevelGateDrive •FastSwitching •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
30N06B	文件：130.1 Kbytes Page：5 Pages	25A竊?0VN-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司	KIA
30N06L	文件：154.84 Kbytes Page：8 Pages	30Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC30N06isalowvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedatautomotiveapplicationsinpowersupplies,highe	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
30N06L	文件：896.87 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
30N06-Q	文件：337.01 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
30N06V-Q	文件：205.67 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC30N06V-QisalowvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedatautomotiveapplicationsinpowersupplies,	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
FQB30N06	文件：663.34 Kbytes Page：9 Pages	60VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB30N06	文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.04Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQB30N06L	文件：630.88 Kbytes Page：9 Pages	60VLOGICN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB30N06L	文件：1.81557 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelQFET짰MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB30N06LTM	文件：1.81557 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelQFET짰MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD30N06	文件：739.93 Kbytes Page：9 Pages	60VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市瑞新盛科技有限公司	SFD30N06AT	WINSEMI	2019+	TO-252	87500	稳先微WS原装正品假一赔十	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	SFD30N06低压MOS管	VBSEMI/台湾微碧	23+	TO-252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	SFD-333503-22SF-N1	Sage Millmeter	23+	模块	400		询价
深圳市德创芯微科技有限公司	SFD33N10	HI-SEMICON	19+	TO-252	2400	全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	SFD3D14HP-100-R-S-LF	COILSFENFA	2015+ROHS	SMD	72800	原装新货/价格漂亮/长期大量供应	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	SFD3D14HP-2R7-R-S-LF	COILSFENFA		SMD	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
深圳市亚泰盈科电子有限公司	SFD3D16HP-1.5UH	XX		SMD	17432	提供BOM表配单只做原装货值得信赖	询价
深圳市盈宏半导体科技有限公司	SFD3D16HP-1.5UH	XX	10+PB	SMD	10	刚到现货加微13425146986	询价
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更多SFD30N06AT供应商更新时间2024-6-23 9:36:00

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