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BSO150N03	文件：224.94 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSO150N03MDG	文件：306.08 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??M-SeriesPower-MOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
FIR150N03PG	文件：4.77222 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
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HM150N03K	文件：680.6 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
LMAK150N03	文件：756.75 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
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P150N03ZA	文件：1.13554 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RMW150N03	文件：1.10846 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RMW150N03	文件：1.12527 Mbytes Page：7 Pages	4.5VDriveNchMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
UT150N03	文件：262.57 Kbytes Page：7 Pages	150A,30VN-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWER DESCRIPTION TheUTCUT150N03usesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcan beusedinawidevarietyofapplications. FEATURES TO-220 RDS(ON)≤4.2mΩ@VGS=10V,ID=50A RDS(ON)≤6.0mΩ@VGS=4.5V,ID=40A PDFN5×6 *RDS(ON	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UTT150N03	文件：193.94 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UTT150N03L	文件：1.13681 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel30V(D-S)175째CMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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更多SFD150N03AT供应商更新时间2024-9-24 9:36:00

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