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SFH2302	文件：230.77 Kbytes Page：6 Pages	SchnellePIN-FotodiodeHighSpeedPIN-Photodiode	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
SFH-2302	文件：230.77 Kbytes Page：6 Pages	SchnellePIN-Fotodiode	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
SI2302	文件：4.06584 Mbytes Page：4 Pages	20VN-ChannelEnhancementModeMOSFET VDS=20V RDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@3.6A	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
SI2302	文件：266.42 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
SI2302	文件：832.45 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS N-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURE ●TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION ●LoadSwitchforPortableDevices ●DC/DCConverter	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 深圳辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
SI2302	文件：468.33 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaSOT-23PlasticPackage DESCRIPTIONS N-CHANNELMOSFETinaSOT-23PlasticPackage. FEATURES SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON),SOT-23package. APPLICATIONS Batterymanagement,Highspeedswitch,lowpowerDCtoDCconverter.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
SI2302	文件：413.07 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Feature ●16V/3.6A,RDS(ON)=100mΩ(MAX)@VGS=4.5V. RDS(ON)=140mΩ(MAX)@VGS=2.5V. ●SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●ReliableandRugged. ●SOT-23forSurfaceMountPackage. Applications ●PowerManagementPortableEquipmenta	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
SI2302	文件：1.16669 Mbytes Page：6 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 深圳辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
SI2302	文件：285.33 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET N-ChannelEnhancementMOSFET ■FEATURES TrenchFETPowerMOSFET	YIXINShenzhen Yixinwei Technology Co., Ltd. 壹芯微深圳市壹芯微科技有限公司	YIXIN
SI2302	文件：272.55 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMosfets FEATURES •HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON) •Ruggedandreliable •CaseMaterial:MoldedPlastic.	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
SI2302	文件：168.38 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •20V,3.0A,RDS(ON)=55mΩ@VGS=4.5V RDS(ON)=82mΩ@VGS=2.5V •HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON) •Ruggedandreliable •Leadfreeproductisacquired •SOT-23Package •MarkingCode:S2 •Epo	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
SI2302A	文件：315.46 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features •RuggedandReliable •LeadFreeProductisAcquired •HighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •MoistureSensitivityLevel1 •HalogenFreeAvailableUponRequestbyAddingSuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffix	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
SI2302A	文件：1.8694 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET Features VDS=20V RDS(on)=45mΩ@VGS=4.5V,ID=3.6A RDS(on)=60mΩ@VGS=2.5V,ID=3.1A	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
SI2302ADS	文件：205.23 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel2.5-V(G-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SI2302ADS	文件：56.69 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel1.25-W,2.5-VMOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SI2302B	文件：765.18 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION LoadSwitchforPortableDevices DC/DCConverter	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
SI2302CDS	文件：187.31 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SI2302CDS	文件：118.01 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Loadswitchingforportabledevices •DC/DCconverter	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SI2302CDS	文件：215.14 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
SI2302DDS	文件：209.68 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK

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更多SFC2302M供应商更新时间2024-5-31 13:30:00

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