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2611	文件：142.63 Kbytes Page：2 Pages	SMDRFManualTunableInductor	YANTELYantel Corporation 研通高频深圳市研通高频技术有限公司	YANTEL
2611A	文件：49.68 Kbytes Page：4 Pages	2611ABroadbandPhotodiodeModule Description The2611Aisapackagedimpedance-matchedphotodiodemodulewithinternalgaindesignedforuseinopticalbroadbandreceiversinfiber-opticnetworks.Thepatentedimpedance-matchtechnologyresultsinimprovedgain-bandwidthproductcomparedtoexternalcircuitsduetocontrolofpa	agere 杰尔	agere
2611A	文件：874.95 Kbytes Page：4 Pages	BroadbandPhotodiodeModule 2611ABroadbandPhotodiodeModule The2609Cisapackagedimpedance-matchedphotodiodemodulewithinternalgaindesignedforuseinopticalbroadbandreceiversinfiberopticnetworks.Thepatentedimpedance-matchtechnologyresultsinimprovedgain-bandwidthproductcomparedtoexternalcircuits	EMCORE Emcore Corporation	EMCORE
2611B	文件：1.32755 Mbytes Page：35 Pages	2600BSystemSourceMeterSMUInstruments	TEKTRONIXTektronix 泰克泰克科技(中国)有限公司	TEKTRONIX
2611B	文件：2.05776 Mbytes Page：36 Pages	2600BSystemSourceMeter®SMUInstruments KeyFeatures •Tightlyintegrated,4-quadrantvoltage/current sourceandmeasureinstrumentsofferbestinclass performancewith6½-digitresolution •Familyofmodelsofferindustry’swidestdynamic range:10Apulseto0.1fAand200Vto100nV •Built-inwebbrowserbasedsoftwareenabl	TEKTRONIXTektronix 泰克泰克科技(中国)有限公司	TEKTRONIX
AP2611GY-HF	文件：64.06 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP2611GYT-HF	文件：56.63 Kbytes Page：4 Pages	Capableof2.5VGateDrive,SmallSize&LowerProfile	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
BU2611A	文件：73.2 Kbytes Page：4 Pages	PLLfrequencysynthesizerfortuners TheBU2611PLLfrequencysynthesizersworkupthroughtheFMband.Theyfeaturebuilt-inRFampswithlowpowerdissipationandhighsensitivity. Features 1)Built-inhigh-speedprescalercandivide130MHzVCO. 2)InadditiontothereferenceFMandAM,alsooffersthefollowing7frequencies:	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BU2611AF	文件：73.2 Kbytes Page：4 Pages	PLLfrequencysynthesizerfortuners TheBU2611PLLfrequencysynthesizersworkupthroughtheFMband.Theyfeaturebuilt-inRFampswithlowpowerdissipationandhighsensitivity. Features 1)Built-inhigh-speedprescalercandivide130MHzVCO. 2)InadditiontothereferenceFMandAM,alsooffersthefollowing7frequencies:	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BU2611AFS	文件：73.2 Kbytes Page：4 Pages	PLLfrequencysynthesizerfortuners TheBU2611PLLfrequencysynthesizersworkupthroughtheFMband.Theyfeaturebuilt-inRFampswithlowpowerdissipationandhighsensitivity. Features 1)Built-inhigh-speedprescalercandivide130MHzVCO. 2)InadditiontothereferenceFMandAM,alsooffersthefollowing7frequencies:	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
C2611	文件：211.18 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR竊?NPN竊 TRANSISTOR（NPN） FEATURES Powerdissipation PCM:0.75W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:600V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ，Tstg:-55℃to+150℃	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
C2611	文件：288.38 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN)	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
C2611	文件：246.58 Kbytes Page：2 Pages	NPNPowerTransistor	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
C2611	文件：67.29 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:600V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
C2611	文件：56.33 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:600V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
C2611	文件：852.9 Kbytes Page：1 Pages	TO-251Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR（NPN） FEATURES Powerdissipation PCM:1W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:600V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ，Tstg:-55℃to+150℃	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
C2611	文件：188.3 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR竊?NPN竊 TRANSISTOR（NPN） FEATURES Powerdissipation PCM:1W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:600V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ，Tstg:-55℃to+150℃	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
CSC2611	文件：126.13 Kbytes Page：3 Pages	HighvoltageAmplifierandTVVideoOutput NPNPLASTICPOWERTRANSISTOR HighvoltageAmplifierandTVVideoOutput	CDIL CDIL	CDIL
D2611	文件：1.29329 Mbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN)	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
EL2611	文件：1.05403 Mbytes Page：15 Pages	8PINDIPHIGHSPEED10MBit/sLOGICGATE Description The6N137,EL2601andEL2611areconsistsofaninfraredemittingdiodeopticallycoupledtoahighspeedintegratedphotodetectorlogicgatewithastrobableoutput. Itispackagedina8-pinDIPpackageandavailableinwide-leadspacingandSMDoptions. Features: •Highspeed1	EverlightEverlight Electronics Co Ltd 台湾亿光亿光电子工业股份有限公司	Everlight

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更多SE2611E供应商更新时间2024-6-4 9:20:00

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