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BSS806N	文件：247.24 Kbytes Page：3 Pages	OptiMOS??Small-Signal-Transistor Features •N-channel •Enhancementmode •UltraLogiclevel(1.8Vrated) •Avalancherated •QualifiedaccordingtoAECQ101 •100lead-free;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
BSS806NE	文件：572.61 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??Small-Signal-Transistor Features •N-channel •Enhancementmode •UltraLogiclevel(1.8Vrated) •ESDprotected •Avalancherated •QualifiedaccordingtoAECQ101 •100lead-free;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BU806	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
BU806	文件：164.3 Kbytes Page：6 Pages	FASTSWITCHINGDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION TheBUB806/807andBUBO6FI/807F!aresilicon epitaxialplanarNPNpowertransistorsinDar- lingtonconfigurationwithintegratedbase-emitter speed-updiode,mountedrespectivelyinTO-220 plasticpackageandISOWATT220fullyisolated package.Theyarehighvoltage,highcurrent	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BU806	文件：74.45 Kbytes Page：1 Pages	MEDIUMVoltage&FastSwitchingDarlingtonTransistor DESCRIPTION ThedevicesaresiliconEpitaxialPlanarNPNpowertransistorsinDarlingtonconfigurationwithintegratedbase-emitterspeed-updiode,mountedinTO-220plasticpackage. Theycanbeusedinhorizontaloutputstagesof110oCRTvideodisplays.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
BU806	文件：347.01 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORBU806andBU807typesareNPNSiliconDarlingtonTransistorsdesignedforhighvoltage,highcurrent,fastswitchingapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BU806	文件：108.33 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •HighVoltage:VCEV=400V(Min) •LowSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=5A APPLICATIONS •DesignedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsinTV’sand CRT’s.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BU806	文件：134.5 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •HighVoltage:VCEV=400V(Min) •LowSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=5A APPLICATIONS •DesignedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsinTV’sand CRT’s.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BU806	文件：347.35 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORv	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BU806	文件：48.21 Kbytes Page：4 Pages	NPNDarlingtonPowerTransistor ThisDarlingtontransistorisahighvoltage,highspeeddeviceforuseinhorizontaldeflectioncircuitsinTV’sandCRT’s. •HighVoltage: VCEV=330or400V •FastSwitchingSpeed: tc=1.0µs(max) •LowSaturationVoltage: VCE(sat)=1.5V(max) •PackagedinJEDECTO–220AB	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BU806	文件：101.88 Kbytes Page：3 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS TheyaresiliconepitaxialplanarNPNpowertransistorsinDarlingtonconfigurationmountedin aTO-220plasticpackage. Theyarehighvoltage,highcurrentdevicesforfastswitchingapplications. CompliancetoRoHS.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BU806	文件：41.34 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltage&FastSwitchingDarlingtonTransistor HighVoltage&FastSwitchingDarlingtonTransistor •UsingInHorizontalOutputStagesof110°CrtVideoDisplays •BUILT-INSPEED-UPDiodeBetweenBaseandEmitter	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BU806	文件：116.49 Kbytes Page：3 Pages	FASTSWITCHINGDARLINGTONTRANSISTOR	bocaBoca semiconductor corporation 博卡博卡半导体公司	boca
BU806	文件：59.97 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUMVOLTAGENPNFASTSWITCHINGDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION ThedevicesaresiliconEpitaxialPlanarNPNpowertransistorsinDarlingtonconfigurationwithintegratedbase-emitterspeed-updiode,mountedinTO-220plasticpackage. Theycanbeusedinhorizontaloutputstagesof110oCRTvideodisplays. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYP	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BU806	文件：110.55 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(8.0A,150-200V,60W)	MOSPEC MOSPEC	MOSPEC
BU806	文件：104.59 Kbytes Page：4 Pages	8.0AMPEREDARLINGTONNPNPOWERTRANSISTORS60WATTS200VOLTS ThisDarlingtontransistorisahighvoltage,highspeeddeviceforuseinhorizontaldeflectioncircuitsinTV’sandCRT’s. •HighVoltage:VCEV=330or400V •FastSwitchingSpeed: tc=1.0µs(max) •LowSaturationVoltage: VCE(sat)=1.5V(max) •PackagedinJEDECTO–220AB •Da	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
BU806FI	文件：164.3 Kbytes Page：6 Pages	FASTSWITCHINGDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION TheBUB806/807andBUBO6FI/807F!aresilicon epitaxialplanarNPNpowertransistorsinDar- lingtonconfigurationwithintegratedbase-emitter speed-updiode,mountedrespectivelyinTO-220 plasticpackageandISOWATT220fullyisolated package.Theyarehighvoltage,highcurrent	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
CDM806	文件：385.96 Kbytes Page：3 Pages	M8CONNECTOR FEATURES •M8maleconnector •A&Bcodeversions •panelmount •IP67	CUI CUI Inc.	CUI
CDM806	文件：364.75 Kbytes Page：3 Pages	M8CONNECTOR FEATURES •M8maleconnector •A&Bcodeversions •panelmount •IP67	CUID CUI Devices	CUID
CMA806	文件：100.47 Kbytes Page：1 Pages	AWS/BASInterferenceMitigationFilter	APITECH API Technologies Corp	APITECH

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详细参数

型号：
SDR806
制造商：
SSDI
制造商全称：
Solid States Devices, Inc
功能描述：
100A, 60nsec, 50-1100 V Ultra Fast Recovery Rectifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	SDR806	SSDI	专业模块	MODULE	8513	模块原装主营-可开原型号增税票	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	SDR806	SSDI	17+	MODULE	2100	公司大量全新现货随时可以发货	询价
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更多SDR806供应商更新时间2024-6-3 17:09:00

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