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TSHG5410	文件：107.73 Kbytes Page：5 Pages	HighSpeedInfraredEmittingDiode,850nm,GaAlAsDoubleHetero DESCRIPTION TSHG5410isaninfrared,850nmemittingdiodeinGaAlAs doublehetero(DH)technologywithhighradiantpowerand highspeed,moldedinaclear,untintedplasticpackage. FEATURES •Packagetype:leaded •Packageform:T-1¾ •Dimensions(inmm):Ø5 •Leadswithstand-off •	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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VBA5410	文件：1.02471 Mbytes Page：14 Pages	N-andP-Channel40V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •MotorDrive	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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深圳市卓越微芯电子有限公司	SDL-56-S9384		2020+		1000	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
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