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SDH6963

内置高压MOSFET及高压启动恒流源的PWM+PFM控制器系列

 SDH6963是用于开关电源的内置高压MOSFET及高压启动恒流源的的电流模式PWM+PFM控制器系列产品,满足能源之星6级标准。SDH6963内置高压启动恒流源,低待机功耗<30mW,启动电流低,有多种工作模式。在轻载情况下,工作在PFM模式,可以提高转换效率。在待机模式下,电路进入打嗝模式,从而有效地降低电路的待机功耗。内置峰值电流补偿电路,可以使不同交流电压输入时极限峰值电流一致。还可以通过调节端电阻调节极限输出功率。上电时,峰值电流补偿最大,然后逐渐达到平衡,可以减小在上电过程中变压器的应力,防止变压器饱和。电路内部集成了各种异常状态保护功能。包括欠压锁定,过压保护,过载保护,脉冲前 ·能源之星6级标准 \n·高压启动恒流源 \n·低待机功耗<30mW \n·多种工作模式 \n·轻载下的PFM模式提高效率 \n·过压、原线圈过流、过载、过温保护 \n·抖动的开关频率可以降低EMI \n·极限输出功率调节 \n·欠压锁定 \n·内部集成高压MOSFET \n·自动重启 \n·峰值电流补偿电路 \n·初始化峰值电流最大补偿,实现软启动功能 \n·打嗝模式 \n·逐周期限流;

Silan

士兰微

SI6963

Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

General Description This P-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 12V). Features • –3.8 A, –20 V, RDS(ON) = 0.043 Ω

文件:98.57 Kbytes 页数:5 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

T6963

CMOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT (DOT MATRIX LCD CONTROL LSI)

文件:1.80564 Mbytes 页数:46 Pages

TOSHIBA

东芝

T6963C

CMOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT (DOT MATRIX LCD CONTROL LSI)

文件:1.80564 Mbytes 页数:46 Pages

TOSHIBA

东芝

技术参数

  • 最大功率(适配器)(W):

    12

  • Rdson(Ω):

    3.4

  • 工作频率(KHz):

    24-65

  • Ipeak[A]:

    1.2

  • OVP(VDD)[V]:

    24.5

  • OTP:

    Y

  • OLP/SCP:

    A

  • 抖频:

    Y

  • 线损补偿:

    Y

  • 封装形式:

    DIP8

  • 应用:

    充电器;适配器;机顶盒电源

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SILAN
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更多SDH6963供应商 更新时间2026-4-22 15:10:00