| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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7年
留言
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onsemi(安森美)TSSOP-8 |
18798 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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5年
留言
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SISSOP 8 |
26200 |
25+ |
原装现货,诚信经营! |
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13年
留言
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VISHAYTSSOP8 |
9000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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SITSSOP-8 |
11200 |
23+ |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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11年
留言
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VISHAY5632 |
2015 |
只做进口原装正品!现货或者订货一周货期!只要要网上 |
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7年
留言
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VISHAY/威世MSOP8 |
5000 |
2025+ |
原装进口,免费送样品! |
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10年
留言
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VISHAYTO92 |
86720 |
26+ |
代理授权原装正品价格最实惠 本公司承诺假一赔百 |
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7年
留言
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onsemi(安森美)TSSOP-8 |
18798 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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VISHAYTSSOP-8 |
8900 |
13+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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7年
留言
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onsemi(安森美)TSSOP-8 |
18746 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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8年
留言
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VISHAYTSSOP8 |
35200 |
24+ |
一级代理/放心采购 |
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13年
留言
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VISHAYTSSOP8 |
2568 |
25+ |
原装优势!绝对公司现货 |
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1年
留言
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VISHAY/威世SOP |
20000 |
26+ |
公司只有正品,实单来谈 |
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13年
留言
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VISHAYTSSOP-8 |
7000 |
23+ |
绝对全新原装!100%保质量特价!请放心订购! |
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8年
留言
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SILICONIXTSSOP-8 |
6010 |
24+ |
只做原装正品 |
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5年
留言
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SILIVONIXTSOP8 |
3000 |
9927+ |
原装现货 |
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3年
留言
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VISHAYTSSOP-8 |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保证 |
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6年
留言
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VISHAY-威世TSSOP-8 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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5年
留言
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VBMSOP-8 |
10000 |
25+ |
原装现货假一罚十 |
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10年
留言
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VISHAYSOP8 |
45000 |
25+ |
普通 |
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SI6963图片
SI6963BDQ-T1-E3价格
SI6963BDQ-T1-E3价格:¥4.1476品牌:Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI6963BDQ-T1-E3多少钱,想知道SI6963BDQ-T1-E3价格是多少?参考价:¥4.1476。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI6963BDQ-T1-E3批发价格及采购报价,SI6963BDQ-T1-E3销售排行榜及行情走势,SI6963BDQ-T1-E3报价。
Si6963DQ-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI6963制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
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SI6963BDQ-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 3.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6963BDQ-T1-GE3功能描述:MOSFET Dual P-Ch MOSFET 20V 45mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6963DQ功能描述:MOSFET TSSOP8 DUAL PCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6963DQ-T1功能描述:MOSFET 20V 3.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6963DQ-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 3.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube































