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SDD04N60	文件：300 bytes Page：1 Pages	Mosfets • Super high dense cell design for low RDS(ON). Rugged and reliable.;	Samhop 三合微科	Samhop
SGB04N60	文件：391 Kbytes Page：12 Pages	Fast IGBT in NPT-technology Fast IGBT in NPT-technology • 75 lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for: - Motor controls - Inverter • NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution 文件：391 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SKB04N60	文件：394.62 Kbytes Page：13 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode • 75 lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for: - Motor controls - Inverter • NPT-Technology for 600V applications 文件：394.62 Kbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SKP04N60	文件：394.62 Kbytes Page：13 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode • 75 lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for: - Motor controls - Inverter • NPT-Technology for 600V applications 文件：394.62 Kbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

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更多SDD04N60供应商更新时间2026-4-18 14:02:00

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